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1200V碳化硅MOSFET可实现功率密度和性能上的突破
录入时间:2018/4/10 9:56:21

2018年4月10日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。

大联大品佳代理的英飞凌的这款SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处,如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量,便于打造更小、更轻的系统,从而减少运输工作量,并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。

这款全新的MOSFET融汇了Infineon在SiC领域多年的开发经验,基于先进的沟槽半导体工艺,代表着Infineon CoolSiC产品家族的最新发展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻(RDS(ON))额定值为45mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装,4引脚封装有一个额外的源极连接端子(Kelvin),作为门极驱动的信号管脚,以消除由于源极电感引起的压降的影响,这可以进一步降低开关损耗,特别是在更高开关频率时。

另外,大联大品佳代理的Infineon还推出基于SiC MOSFET技术的1200V‘Easy1B’半桥和升压模块。这些模块采用PressFIT连接,有良好的热界面、低杂散电感和坚固的设计,每种封装的模块均有11mΩ和23mΩ的RDS(ON)额定值选项。

图示1-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的主要产品

特色

Infineon的CoolSiC™ MOSFET采用沟槽栅技术,兼具可靠性与性能优势,在动态损耗方面树立了新标杆,相比1200V硅(Si)IGBT低了一个数量级。该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5V电压。它们将4V基准阈值额定电压(Vth)与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来。与Si IGBT相比的关键优势包括:低温度系数的开关损耗和无阈值电压的静态特性。

这些晶体管能像IGBT一样得到控制,在发生故障时得以安全关闭,此外,Infineon碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度,因此可以轻松优化EMC性能。

图示2-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的产品规格

应用

当前针对光伏逆变器、不间断电源(UPS)或充电/储能系统等应用的系统改进,此后可将其范围扩大到工业变频器。


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