Page 54 - MWJC_JanFeb2017_eMag

ProductFeature 特色产品

输出功率达100W且增益为

60dB的带SMA连接器的小

巧GaN放大器

Up To 100 W Out and 60 dB Gain From Compact, SMA, GaN
Amplifiers

美国Pasternack公司
Irvine, Calif.

通 过扩展其可当日发货的现货放大器选型 产品的其它特征包括：利用TTL逻辑信号实现直
库，Pasternack推出了一系列固态功率放
流通断控制；为了提高可靠性，某些型号还具
大器（SSPA）产品。这些产品利用GaN技术实 有电压调节、偏置测序、电流监测、以及+90℃
现高功率和高的功率附加效率（PAE）。这一 温度下关断等功能；工作温度范围为-40~85℃；
系列产品均带SMA连接器且包括12种型号（见 多种功率放大器（PA）产品具有用于恶劣环境
表1），各型号提供10~100W的饱和输出功率、 的全密封封装。PE15A5032F和E15A5033F两个
高达35%的功率附加效率、43~60dB的增益水 型号具有可在高温应用中保证性能的集成散热
平以及低至±1.25dB的增益平坦度。GaN的高 器和冷却风扇。为了实现易用性和最佳功率处
输出负载阻抗更易实现阻抗匹配，从而使得匹 理能力，该系列GaN放大器产品在上述技术性能
配器件的损失更低。这些放大器产品均为无条 之外，还提供各种监测功能。
件稳定器件，其输入端和输出端均匹配50Ω电
阻，且输入电压驻波比（VSWR）最大为2:1。 偏置测序
此外，在这些产品中，即使是宽带高频放大 GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）技术因
器，其谐波水平也仅为-15dBc或-20dBc，杂散度 其高功率密度、高可靠性、高散热性能以及在毫
为-70dBc，从而可提供可预测的稳定响应。这些 米波段内的高信号放大能力等优点，成为放大器
行业中极具吸引力的一项技术。然而，高功率
射频器件的偏置及相应偏置电路需要进行详细的
表1：GaN功率放大器系列
分析和设计，才能防止发生可影响线性度或导
型号 功率范围 增益 饱和功率 PAE 直流功率 致热失控的不稳定性。此外，在大电流连续波
(MHz) (dB) (W) (dBm) (%) (V/A) （CW）应用中，发生不稳定性的风险更大。为
了确保最佳性能，Pasternack的上述各型号GaN
PE15A5011 30-2500 43 10 40 35 28/1.2
放大器产品中的大多数均提供偏置测序功能。
PE15A5017 700-6000 43 10 40 20 32/2
PE15A5016 6400-7100 58 20 43 35 33/2.3 电流和温度监测
由于在GaN HEMT放大器中电流可随温度
PE15A5019 7200-7500 58 15 42 35 33/2.3
升高而增大，因此，上述GaN功率放大器系列中
PE15A5024 2000-6000 50 25 44 30 28/3
的某些型号提供电流监测功能，以降低潜在不
PE15A5025 2000-6000 50 50 47 30 28/6 稳定性和噪声。此外，为了使上述器件可保持
PE15A5026 1000-3000 50 50 47 25 28/7 于安全工作状态，还通过+85~90℃温度下的超
温关断功能实现热保护。
PE15A5027 100-6000 60 10 40 20 28/2.2
PE15A5032 500-3000 48 50 47 25 36/8.3 过电压保护和电压调节
PE15A5032F 500-3000 48 50 47 25 36/8.3 上述GaN放大器还具有欠电压和过电压关断
功能，即当偏压低于或高于指定电压时关断器
PE15A5033 700-2700 45 100 50 30 30/16.7
件。当放大器输出端负载发生变化时，其输出电
PE15A5033F 700-2700 45 100 50 30 30/16.7
下转第56页
52 Microwave Journal China 微波杂志 Jan/Feb 2017