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这款器件使用NXP的CMOS 90nm SOI工艺,成功通过了总剂量测试(剂量率600到1000Rad/h,总剂量高达100Krad)和重离子测试(总SEL免疫值高达86MeV),证明它非常适合用于耐辐射级别(Rad Tol)的宇航应用。 辐射测试的结果表明这款器件可用于大多数的宇航应用,甚至是长期任务或GEO卫星。
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