新的毫米波GAAS FEM实现了额外的5G网络容量

北京，2019年12月3日——移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与RF解决方案的领先供应商Qorvo^®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，通过使用新的砷化镓（GaAs）前端模块（FEM）---QPF4010，使得开发在频段n258（24.25至27.5GHz）中工作的5G基站变得更加轻松。新的QPF4010 FEM通过减少高达50%的所需基站天线阵列元件数，并为较小的系统配置提供小巧封装尺寸，支持部署5G毫米波（mmWave）基站。

QPF4010将功率放大器、功率检测器、开关和低噪声放大器集成在一个紧凑型4mm x 4mm封装中。它基于Qorvo的90nm GaAs技术，并提供出色的噪声系数，以及比基于其他半导体工艺（如硅锗（SiGe）或绝缘硅片（SOI））更高的输出功率和增益。

Qorvo高性能解决方案业务总经理Roger Hall表示：“Qorvo设计了QPF4010来加速频段在n258（24.25至27.5GHz）的5G网络扩张。这种新的FEM支持很多毫米波5G用例，并使设备制造商能够轻松升级他们的基站，同时将所需的天线阵列元件数量减少高达50%。”

QPF4010较高的输出功率和紧凑尺寸为移动运营商提供了更多的网络灵活性，以构建实现最大功率和带宽的高性能、经济高效的基站，而实现全向性辐射功率（EIRP）需要这些功率和带宽。运营商可以构建较小但更强大的传输阵列，从而在降低总成本的同时保持或改进性能。

QPF4010增强的功能可大幅降低系统生命周期的总拥有成本：

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