两款新产品分别适用于频率在2.3-2.7 GHz和3.4-3.8 GHz范围内的多赫蒂功率放大器。

北京，2016年4月19日——在今日开幕的EDI CON China 2016（电子设计创新会议）上，射频绝缘体上硅（RF SOI）技术创始者及先进射频解决方案开创者派更半导体（Peregrine Semiconductor））在309号展台展示了三款采用UltraCMOS^® 技术（派更采用此技术的器件的出货量已超35亿件）的单片相位和振幅控制器（MPAC）——PE46120、PE46130和PE46140，后两者是新推出的产品。这三款产品均可为多赫蒂功率放大器提供最大的相位调谐灵活性，其频率范围分别是1.8-2.2、2.3-2.7和3.4-3.8 GHz。

派更半导体市场总监Kinana Hussain表示：“相位和振幅控制对未来通信技术的发展至关重要，从LTE和5G技术到雷达技术，它们均依赖有效的数据交换。派更半导体的MPAC将支持通信技术未来的发展。派更半导体今天新推出了两款集成型产品，这仅仅是一个开始。公司即将推出的MPAC系列产品将支持波束形成、全双工无线通信以及5G应用等多种功能。此外，整个MPAC产品组合将继续展现派更半导体UltraCMOS技术的智能集成能力。”

由于PE46130和PE46140基于UltraCMOS技术开发，它们具备的智能集成优势（如稳定性好、灵活性高、支持小型封装、可配置性强、系统性能更高等）是砷化镓（GaAs）解决方案无法比拟的。每款MPAC均无需使用分立元器件，集成了一个90度射频分离器、多个5位数字移相器、一个4位数字步进衰减器以及一个数字串行外设接口。

PE46130和PE46140是用于优化氮化镓多赫蒂功率放大器的理想之选，多赫蒂功率放大器通常在较高频率下工作。低频多赫蒂功率放大器通常基于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术研制而成，因为在频率低于2.0GHz时LDMOS具有效率和成本优势。然而，在较高频率下，这一优势不复存在，而基于氮化镓的多赫蒂功率放大器不仅性能较为稳定，而且还能满足大功率密度需求。

虽然在多赫蒂放大器的架构下各组件的成本较高，但PE46130和PE46140可使用高效氮化镓晶体管，以提高组件的总体效益，进而降低材料成本。此外，这些控制器可通过改善匹配度和提高数字预失真回路效率来增强功率附加效率、整个频率范围内的线性度和多赫蒂带宽。这两款产品能够提供最大的相位调谐灵活性，提高收发器路径之间的统一性和重复性，同时能够提高系统稳定性。单片控制器可通过满足不同现场需求的数字接口进行远程编程。得益于这样的灵活性，工程师可基于运营和环境因素对相位和振幅进行实时调整。

特性、封装、定价及供货

除了支持不同的蜂窝频段外，PE46130和PE46140的特性和性能优势都十分相似。这两款产品的相位范围为87.2°（步长：2.8°）、衰减范围为7.5 dB（步长：0.5 dB）。PE46130和PE46140可提供高于60dBm IIP3的高线性度，功耗仅为0.35mA。特别要指出的是，各控制器能够提供35dBm（P0.1dB）的高功率处理能力以及30dB的较高端到端隔离度。UltraCMOS技术可确保控制器在所有射频引脚上能承受至少1kV的静电放电，运营温度范围扩大至+105°C，电源范围达到2.3V-5.5V。这些控制器产品均符合《电子电气设备中限制使用某些有害物质指令》的相关要求，并采用32引引脚、6×6 mm QFN封装方式。

PE46130和PE46140样本和评估工具包现已发布，PE46130现已开始批量生产。对于PE46130，1000件批量购买价格9.37美元/个，5000件批量购买价格为7.60美元/个，10000件批量购买价格为7.03美元/个。对于PE46140，1000件批量购买价格为10.31美元/个，5000件批量购买价格为8.36美元/个，10000件批量购买价格为7.73美元/个。