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产品特写
 
单芯片频率合成器提供低相噪和杂散
材料来源:《微波杂志》2018年11/12月号           录入时间:2018/11/30 9:38:36

为了支持航空航天和防务、无线基础设施、微波点对点链路、测试与测量以及卫星终端等多种应用,ADI公司开发了一款集成VCO的宽带频率合成器,提供出色的性能和灵活性。ADF5610采用小数N分频架构,可产生57 MHz至14.6 GHz频率并实现单芯片频率合成器的最低相位噪声性能。与使用多个窄带、GaAs VCO和PLL的替代解决方案相比,ADF5610的功耗低50%,实现了更小尺寸并提供更简单的板图设计,可降低物料成本并缩短产品上市时间。

ADF5610采用ADI专有的SiGe BiCMOS工艺制造,提供+6 dBm的RF输出功率、高系统调制带宽和极低的比特误码率。其VCO相位噪声处于行业领先水平:10 GHz工作频率下,100 kHz失调时为−114 dBc/Hz,100 MHz失调时为-165 dBc/Hz,以及-232 dBc/Hz的低归一化相位噪底。采用合适的环路滤波器时,集成的PLL可实现快速跳频和小于30 μs的锁定时间。整数边界杂散通常能够优于带内45 dBc。电平通常高于带内−45 dBc。

该频率合成器可通过控制软件和集成的SPI接口进行编程,兼容1.8 V逻辑并具有硬件和软件关断模式。

ADF5610通过用于模拟、数字和电荷泵电路的+3.3 V单独电源以及用于VCO的+5 V电源进行偏置。IC采用7 mm x 7 mm LFCSP封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。

使用ADF5610进行设计很容易,并可得到ADI公司全面易用的PLL频率合成器设计和仿真工具ADIsim-PLL™的完全支持。利用ADIsimPLL,设计人员可以评估相位噪声、锁定时间、抖动和其他参数。

 ADI公司

中国北京

www.analog.com


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