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ProductFeature 特色产品

0 连接。无铅表面贴装技术的回流焊使得
–5 引脚的焊接均匀可靠。由于数字步进衰
–10 减器的材料成分与氧化铝（Al 2 O 3 ）类
–15 似，所以两者的热膨胀系数也是类似
–20
|S 11 | (dB) –25 的，为5至7ppm/℃，保证了机械性能可
靠和连接稳固。PE43508芯片采用最小
–30
–35 500μm球距。因为采用薄膜技术可以很
容易满足行距和间距的临界尺寸100μm
–40
–45 甚至更小，而厚膜技术和印制板工艺通
–50 常需要更大的临界间距来达到合理的一
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 致性和高的生产良率。PE43508相对较
Frequency (GHz)
宽的500μm球距是为了满足市场上较大
图3：|S 11 |与频率。 临界间距的需求甚至能够直接安装于射
频PCB板上。PSemi公司在网站上已经
4.0
发表了有关芯片应用的文章，可以在公
3.5 司网站上查到，主要讨论产品过渡方式
3.0
Attenuation Error (dB) 2.0 PCB板均能获得最佳性能。
以及装配工艺，以便无论采用氧化铝或
2.5
PE43508的量产产品、套装评测工
1.5
具及样品已上市销售。订购1千片数量的
1.0
0.5
价格为每片50美元。■
–0.5 0 pSemi Corp.
–1.0 San Diego, Calif
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Frequency (GHz) www.psemi.com
图4：衰减误差与频率。 sales@psemi.com

图1显示了在室温条件下、0dB衰减（参
考状态）时，插损在0到50GHz整个频
率范围的变化。图2表示在步长为1dB的
情况下，衰减从最高值开始直至回到参
考状态（0dB）期间，衰减和频率的关
系。例如，在同一频率下，把测量得到
的插损值减去参考状态的插损值。图3表
示所有的衰减状态。图4显示所有状态的
衰减误差。
PSemi公司通过对HaRP™专利技
术进行改进，提高了PE43508数字步进
衰减器的功率处理能力并获得更好的
线性度。在室温条件下，从1到50GHz
频率范围内最大连续波输入功率为+28
dBm，在16 GHz频率点测得的输入三
阶截点（IIP3）的典型值为+51 dBm，
在50 GHz频率点、1 dB压缩点为+32
d B m 。 其它 特 点 如快 速 开 关时 间 为
350ns，具有安全故障衰减状态转换功
能，即意味着在状态转换时也不会提高
功率尖峰。PE43508具有更宽的工作温
度范围（从-40℃至+105℃），ESD（静
电放电）保护额定值1 kV HBM（人体
模式），还有一个简单好用的数字控制
接口，可支持串行寻址和并行编程。该
款数字步进衰减器支持1.8 V控制信号，
还有一个可选的VSS_EXT旁路模式以提
高杂散性能。
作为一个倒装芯片结构，PE43508
使用无铅焊接球技术处理信号及接地的

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