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少了终端用户的掉话次数。这些高性能 单晶AlN的导热率比多晶AlN高2倍。多
器件具有低插入损耗和高选择性，可满 晶AlN的导热率会随着膜厚度减小而降
足高难度FDD、高频TDD 4G / LTE和新 低，这会导致传统FBAR谐振器的功率
射频开关解决方案 兴5G频段苛刻的共存要求。目前的多模 容量受到限制，尤其是在较高频率下。
从DC至110GHz 多频中高端智能手机使用超过50个滤波 在图1所示的所有BAW技术中，谐振频
器，专家预计5G频段将推动滤波器的使
率由材料叠层的厚度和声波的有效传播
用数量超过70个。 速度决定。相同厚度的AlN压电材料，
固贴式谐振器（SMR）（图1左 较高的传播速度产生较高的工作频率。
侧）和薄膜体声波谐振器（FBAR） 更高的声波速度、更高的压电系数和更
在所有高频测试中您都可以信赖 （图1中间）是目前BAW射频滤波器中 高的导热性，这三个因素使得由单晶外
Ducommun的射频产品。 使用的两种主要的谐振器技术，因为它 延生长的MOCVD-AlN压电材料构成的
们具有高Q值、高工作频率和良好的功 XBAW滤波器比基于PVD-AlN的BAW滤
Ducommun提供高达46GHz 率处理能力。目前，BAW射频滤波器 波器具有更好的性能（功率处理能力，
的同轴开关和高达110GHz的 市场由双寡头垄断，其市场占有率超 插入损耗，带宽和带外抑制），特别适
95％，两家公司的核心材料技术均采用 用于高频和高功率应用（见图2）。
pin二极管全系产品。 物理气相沉积法（PVD）溅射多晶压电 2017年6月，Akoustis完成了对纽
氮化铝（AlN）技术。 约州卡南代瓜市的一家MEMS工厂的战
略收购。通过此次收购以及随后的所
单晶片BAW滤波器技术 有制造工艺的整合，Akoustis现在拥有
在以移动射频滤波器为主导的BAW 122,000平方英尺ISO-9001认证的商业
滤波器市场，Akoustis Technologies是 化晶圆制造能力，包括150 mm直径晶
1
估值58亿美元的新兴企业 ，拥有称 圆制造100/1000级超净间，和一个负责
为XBAW的BAW谐振器工艺专利权。 XBAW滤波器的研究、开发和生产的运
DC-46GHz 同轴开关 Akoustis将该专利权与集成设计与制造 营团队。此外，Akoustis正在为MEMS
• 2.4mm, 2.92mm, SMA, TNC, N （IDM）商业模式相结合，开辟了新的 晶圆的加工、封装和组装进行美国国
• 出色的射频性能
• 内置50Ω端子 领域并专注于成为第一个面向3 GHz以 防部（DoD）的“可信晶圆厂（Trusted
• 高功率、真空、热切换 上应用的BAW滤波器供应商。 Foundry）”认证。需要专用滤波器的
Akoustis推出了一种在BAW滤波器 DoD项目通常需要“可信晶圆厂”认
中使用高纯度单晶压电AlN材料的新方 证，Akoustis正致力于成为此类项目的
射频开关矩阵
法（见图1右侧）。与PVD多晶AlN相 供应商。
• 图形化用户界面
• USB/RS-232/以太网控制接口 比，外延生长的金属有机化学气相沉
• 无NRE（非经常性工程）费用 积（MOCVD）单晶AlN具有更高的固 BAW滤波器市场
• 模块化设计
有晶体质量。晶体质量的提升改善了 Akoustis是唯一一家BAW滤波器
声波速度和压电机械耦合系数。此外， 单一业务公司，公司业务针对移动高
台式开关 频段4G/LTE和新兴5G应用。这是迄今
0
• 可配置开关 –10 为止最大的市场，由滤波器相关厂商
• USB、以太网控制接口
Insertion Loss (dB) –40 自主BAW滤波器技术）和收发器制造
• 图形用户界面（GUI） –20 组成，涉及手机OEM和ODM、射频前
• 低成本方案 –30 端（RFFE）模块制造商（有一些采用
–50
–60 商。5G增强型移动宽带（eMBB）功能
空间开关
–70 需要更高频率和更宽带宽，这将对现有
5.0 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9
• SPDT、转换、多掷和
Frequency (GHz) 的SAW和多晶BAW滤波器技术产生不
开关矩阵配置
• 超过30年的空间开关经验 图3：具有1.2dB插入损耗和50dB衰减的 利影响。单晶BAW技术将开发更高性
5.2GHz BAW滤波器。 能、更宽带宽的BAW滤波器，适用于
工作频率为2.6至5 GHz，带宽在200至
Pin 二极管开关 30 IL-P in Sweep to 10 W –20 900 MHz的5G n41、n77、n78和n79频
• SPST至SP8T配置 ACPR-P in Sweep to 10 W 段（或子频段）。
• 纳秒（ns）级开关 25
• 0.03GHz至110GHz –30 除移动市场外，还有另外两个市
• 反射式和吸收式 20 场可以使用单晶BAW技术。随着Wi-Fi
IL (dB) 15 –40 ACPR1 (dBc) 基础设施的复杂性不断增加，包括
802.11ac多用户MIMO（MU-MIMO）在
10
–50 内的先进Wi-Fi CPE架构正在经历更快
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的发展，推动了对小型化器件的需求。
0 –60 预计这种趋势将持续下去，特别是下
30 32 34 36 38 40
P in (dBm)
一代三频路由器中802.11ax标准的确定
更多信息请联系我们的销售团队： 图4：2.6GHz BAW滤波器——WCDMA临 和实施，其将同时工作在2.4、5.2和5.6
310-513-7256 或 rfsales@ducommun.com
近频道功率比。 GHz。超窄带5.2 GHz BAW滤波器在160
10 www.mwjournalchina.com Microwave Journal China 微波杂志 Nov/Dec 2018
