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TechnicalFeature 技术特写

图4：使用VNA内部方法测量的和本文TRL方法计算的|S 21 |（a），∠S 21 （b）和S 11 （c）。

以验证TRL校准方法和效率（参见图
3）。图4显示了DUT传输系数的幅度
|S 21 |，图4b显示了它的相位。曲线对应
于未经校准测量的S 21 、使用VNA内部校
准算法测量到的S 21 和使用本文中描述的
方法计算所得的S 21 。结果显示两种校准
方法之间几乎没有差异。图4c显示了在
史密斯圆图上绘制的S 11 ，两条曲线分别
通过 表示VNA参考平面之间测 表示使用VNA内置校准所得的测量值，
量到的DUT的S参数， 方法验证 以及使用本文中描述的方法计算出的
值。所有曲线都显示了S 11 和S 21 的解析计
将标称增益为10 dB的4至8 GHz放
大器作为DUT，使用VNA进行了测量， 算值与VNA内部校准算法确定的值之间
的一致性。
结论
与众所周知的TRL校准方法对应的
解析计算方法，相比传统的矩阵形式降
3
性能卓越的无源器件 低了计算复杂度。 这种方法可以扩展用
于更多的测量情形，特别是对于差分输
入和输出的情况。 6-7 ■
3 GHz 及以上
参考文献
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www.minirf.com | sales@minirf.com | (408) 228-3533 Multiline TRL,” IEEE Transactions on Microwave Theory
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28 www.mwjournalchina.com Microwave Journal China 微波杂志 Jul/Aug 2019