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TechnicalFeature 技术特写

（10） 流同相，电路可以根据欧姆定律来分 V ISO =V L－ [1－L 1 ×α]+V S+ [L 1 －α] （23）
析。 V L－ =V S+ ×L 1 ×|Γ 0 |ej （24）
其广泛用于天线设计。VSWR、RL 端口定义如下：输入端口（端口 其中，V S+ 是端口1（节点V S ）处的
和Γ 0 的关系如下： 1）为RFIP，输出端口（端口2）为 正向电压，V L- 是端口2（节点V L ）处负 2019
（11） RFOP，耦合端口（端口3）为VFWD， 载的反射电压。Θ是反射信号的未知相
隔离端口（端口4）为VREV。由于结构 位，用(24)代替(22)和(23)中的V L- ，并用
是对称的，当信号在Z L 处反射或施加于 (21)简化结果，另外
（12）
RFOP时，端口反转。 V FWD =V S+ [1－L 1 ×α] （25）
在负载匹配且发生器电压连接到端 导致输出电压非常复杂。
（13） 口1 (RFIP)的情况下，Z S = Z L = Z 0 = R =
50Ω， （26） 立即预订展位，与中国从事射频、
式14和式15分别代表驻波电压的最 微波和高速数字设计的工程师面对面
大值和最小值。VSWR定义为波上最大 （16）
（27）
电压与最小电压之比。线路上的峰值电
压和最小电压分别为： 从(26)和(27)可以看出，当D L >>1 2019年 4月1- 3 日
|V(x)| max = |A|(1－|Γ 0 |) （14） （17） 时，
+
|V(x)| min = |A|(1－|Γ 0 |) （15） V L /V S 为插入损耗L 1 或IL，单位为
例如在50Ω传输线路中，如果前向 dB。
行进电压信号的峰值幅度A = 1，并且线 IL=20 log10 |21|=－20 log10 L 1 =0.87dB（18） （28） 中国北京
路与一个理想负载匹配，则|Γ 0 | = 0，没 0.1×R主线路电阻任一侧的两个并
有驻波（VSWR=1.00），线路上的峰值 联支路的衰减因数为：
电压为A = 1。但是，如果R load 为100 Ω 在 ADL5920 中，电压 VREV 和
或25 Ω，那么|Γ 0 | = 0.333，RL = 9.542 （19） VFWD分别通过两个60 dB范围的线性
dB，VSWR = 2.00，|V(x)| max = 1.333， 图4中的|VREV|和|VFWD|公式显示 dB RMS检测器映射到电压VRMSR和
|V(x)| min = 0.666。 了正向施加信号时的电压值。这些公式 VRMSF，分别为(VISO/VSLP)和(VCPL/
图4是图3的副本，但所示信号采 指出了简化原理图的基本方向性限制， VSLP)。所以器件的差分输出VDIFF 目
用默认正向配置，并且指示了行进功率 原因是隔离端口的抑制性能（33 dB）不 （单位为dB）表示 标
观
波，参考平面位于负载。在低频时，波 理想。 （29） 众
来
长相对于物理结构而言较长，电压和电 访
（20） 其中检波器斜率VSLP约为60 mV/
dB。 与 客 户 和 潜 在 客 户 沟 通
使用(28)中(29)的电压到dB映射，
从图4中可以看出，线性域中双向 格
桥的方向性由下式确定： （30） 奖 资
新
（21）
并在式30中使用式9，得到： EDICON 创
这表明：为了提高方向性，α需要 P REV －P FWD =－IL－RL （31） 立刻计划参展！
等于插入损耗L 1 。 RL=P FWD －P REV －IL （32） 获 得
在硅片中，峰值方向性通常比简图 图6显示ADL5920被正向驱动时正 EDICON与会者工作领域:
表明的要好（图5）。 向功率检测RMS检测器的响应。每条 • 射频和微波
如果Z L 不等于Z 0 （正常情况下）， 曲线对应于所施加的特定功率水平下 • 信号完整性和电源完整性
图7：多种频率下正向路径检测器的典型 则耦合和隔离端口电压（复数）将为： 输出电压与频率的关系。曲线停止在
输出电压与输入功率的关系。 • 高速数字设计
V CPL =V S+ [1－L 1 ×α]+V L－ [L 1 －α] (22) 10MHz，低至9 kHz的频率下的操作已得
到验证。图7中，相同数据表示为输出电 立刻注册！ • 半导体
压与输入功率的关系，每条迹线代表不 • 测试和测量设备
同的频率。 使用优惠码EDICON19MWJ注册， • 材料封装
当ADL5920的RF out 引脚用一个50Ω • EDA/CAD
电阻端接时，不应有反射信号。因此， 节省50%门票费用 • EMC/EMI
反向路径检测器不应该会记录任何检测
到的反向功率。但是，由于电路的方向
性是非理想的，会随着频率变化而滚 www.mwjournalchina.com/edicon
降，所以反向路径中会检测到一些信 立即签约、选择展位！
号。图8显示了在500 MHz频率下，当扫
描RF in 且RF out 用50Ω电阻端接时，正向 首席赞助商： 钻石赞助商： 主办单位：
图8：VRMSF和VRMSR输出电压与输入 图9：测得的正向功率与施加的功率和负 和反向路径检测器测得的电压。这些迹
功率的关系，500 MHz，电桥从RF in 驱 载的回波损耗之间的关系，在1 GHz下 线之间的垂直压差与电桥的方向性直接
动，RF out 端接50 Ω。 测量。 相关。

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