摘要：本文采用工作频率可达8GHz，饱和输出功率为30W 的 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率）管芯的大信号模型进行负载牵引系统仿真得到C 波段（5.3GHz~5.9GHz）管芯的最佳输入输出阻抗。根据管芯的输入输出阻抗，采用T 型匹配和λ/4 传输线匹配设计了30W 器件并匹配至50 欧姆。在工作频段内，脉冲宽度为200us, 占空比为10%，电源电压为32V 时，在测试板上测得的输出功率大于30W，增益大于11dB, 漏极效率大于53%。在30W 器件设计的基础上，采用了四胞合成的方式，设计了110W 器件。110W 器件的关键是功率分配器和功率合成器的设计，使得射频输入信号到各单胞栅极能够保持幅度和相位一致性，其中相位控制在5 度以内，这大大提高了器件的合成功率和合成效率。在同一测试条件下，在测试板得到的输出功率大于110W，增益大于10dB，漏极效率大于50%，合成效率大于90%。

关键词：C 波段，GaN，宽带匹配，微波功率放大器

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