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Qorvo®利用紧凑型5G天线技术加速n258频段的5G网络部署
录入时间:2019/12/3 11:39:09

新的毫米波GAAS FEM实现了额外的5G网络容量

北京,2019年12月3日——移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与RF解决方案的领先供应商Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,通过使用新的砷化镓(GaAs)前端模块(FEM)---QPF4010,使得开发在频段n258(24.25至27.5GHz)中工作的5G基站变得更加轻松。新的QPF4010 FEM通过减少高达50%的所需基站天线阵列元件数,并为较小的系统配置提供小巧封装尺寸,支持部署5G毫米波(mmWave)基站。

QPF4010将功率放大器、功率检测器、开关和低噪声放大器集成在一个紧凑型4mm x 4mm封装中。它基于Qorvo的90nm GaAs技术,并提供出色的噪声系数,以及比基于其他半导体工艺(如硅锗(SiGe)或绝缘硅片(SOI))更高的输出功率和增益。

Qorvo高性能解决方案业务总经理Roger Hall表示:“Qorvo设计了QPF4010来加速频段在n258(24.25至27.5GHz)的5G网络扩张。这种新的FEM支持很多毫米波5G用例,并使设备制造商能够轻松升级他们的基站,同时将所需的天线阵列元件数量减少高达50%。”

QPF4010较高的输出功率和紧凑尺寸为移动运营商提供了更多的网络灵活性,以构建实现最大功率和带宽的高性能、经济高效的基站,而实现全向性辐射功率(EIRP)需要这些功率和带宽。运营商可以构建较小但更强大的传输阵列,从而在降低总成本的同时保持或改进性能。

QPF4010增强的功能可大幅降低系统生命周期的总拥有成本:

功率水平

24dBm Psat,13.5dBm线性功率

功率附加效率

4%EVM和4.5%功率附加效率(13.5dBm Pout时)

噪声系数/信号增益

接收模式:噪声系数:4.0dB

信号增益:14dB;13dBm OIP3

封装

4mm x 4mm QFN塑料封装

符合资格的客户现在可索取QPF4010工程样品。


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