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能讯半导体推出适合5G主通信频段应用的碳化硅基氮化镓射频功率放大器
录入时间:2019/4/9 12:25:33

能讯半导体发布新款S波段、适合5G主通信频段应用的碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)射频功率放大器D1H27260E1,助力5G网络发展。D1H27260E1工作频率范围为2515-2675MHz,全频段内饱和功率达到260W,平均输出功率28W时,其线性增益为14.5dB,开环线性接近-30dBc,线性效率大于51.5%。

D1H27260E1采用非对称Doherty设计,工作电压48V,封装形式为陶瓷NI-780-4。其更高的效率减少了电路板上的功率损失,有效地改善了系统的热设计,非常适合5G通信中的宽带应用。

除本款产品,能讯半导体将于2019年陆续推出多款S波段和C波段、不同功率等级、适合5G通信基站应用的系列产品。能讯半导体提供业内种类丰富的GaN-on-SiC射频功率放大器。产品具有高效率、高增益、小尺寸、高可靠性的特点。

产品特色:

工作频率:2515-2675MHz

饱和功率:260W

线性增益:14.5dB

线性效率:51.5%

封装形式:陶瓷780-4

符合无铅和RoHS标准

Doherty PA脉冲测试性能:

偏置条件:Vds = 48V,主管Ids = 200mA,峰管Vgs = -4.2V

测试信号:Pulse Width = 100 µs, Duty Cycle = 10 %

Freq. (GHz)

2.515

2.595

2.675

Psat (dBm)

52.8

52.8

52.6

 

 

 

 

Doherty PA DPD性能:

偏置条件:Vds = 48V,主管Ids = 200mA,峰管Vgs = -4.2V

测试信号:单载波WCDMA信号,PAR = 7.5dB

Freq. (GHz)

2.515

2.595

2.675

ACLR (dBc)@ 44.5 dBm

-29

-30

-29

DE (%) @ 44.5 dBm

51.6

52.3

52.1

Gain (dB) @ 44.5 dBm

14.6

14.9

14.9

 

 

 

 

 


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